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FinFET， GAA， Backside Power 简介

FET（Fin Field-Effect Transistor），是一种先进的晶体管结构，用于半导体器件，特别是集成电路（IC），如微处理器、图形处理单元（GPU）和片上系统（SOC）。与平面场效应晶体管（FET）设计相比，FinFET结构具有许多优点。

在追求更高性能、更低功耗和更高密度晶体管阵列的竞争中，半导体制造商正在积极拥抱一项名为“背面供电网络”（BSPDN）的根本性架构变革。这项技术将供电从传统的正面（已挤满了逻辑和信号布线）转移到晶圆背面，从而为高密度晶体管逻辑腾出宝贵的空间。